应力记忆技术(Stress Memohzation Technique,SMT),是90nm技术节点以下兴起的一种着眼于提升NMOS器件速度的应力工程[21J。sMT的特点在于,K4S643232H-UC60该技术凭借拉应力作用,可以显著加快NMOS器件的电子迁移率,从而提高NMOs器件的驱动电流;然而,SMT在集成电路制造技术中如同一个“隐形人”,在整个工艺流程完成之后,该项技术不会对器件产生任何结构性的变化。

    sMT技术的分类

   在业界早期的探索中,SMT出现了许多流派:

   (1)源、漏极离子注人完成之后,采用低应力水平的膜层(如二氧化硅)作为保护层,对多晶硅栅极进行高温退火E221;

   (2)源、漏极离子注人完成之后,采用高应力水平的膜层(如高应力氮化硅)作为保护层,再对多晶硅栅极进行高温退火「23];

   (3)沉积高应力水平的膜层之后,直接做高温退火,而不采用预先的离子注人非晶化过程[24]。在这三大流派下面,还有很多具体的分支,诸如离子注入的条件差异、应力膜系的选择、退火条件的不同等。随着研究的逐步深人以及工业应用的反馈,上述第二种流派被越来越多的业者青睐,已经成为SMT的主流技术。而事实上,在这一分支下,仍有许多探索和实验在进行。有研究表明传统的SMT技术会降低PMOS器件的驱动电流[25],如图5,10所示,NMOS速度可以提高10%以上,而PMOS却有15%的衰减。