位置:51电子网 » 技术资料 » 无线通信

k为2.5的超低介电常数材料

发布时间:2017/10/21 12:43:04 访问次数:662

   低介电常数层间绝缘膜(低乃材料)的用途为减小布线间的电容。布线问的电容与绝缘膜的相对介电常数和布线的横截面积成正比,与布线间隔成反比。 K4S2816320-LC75伴随加工技术的微细化,布线横截面积和布线问隔越来越小,结果导致布线间电容的增加。囚此,为了在推进加I技术微细化的同时叉不至于影响到信号传输速度,必须导人低乃材料以减小线间电容,从而可以很好地减少电信号传播时由于电路本身的阻抗和容抗延迟所带来的信号衰减。为了获得介电常数小于或等于2.5的低乃材料,研究出一种通过在有机硅化合物玻璃中对低乃材料进行紫外光热(ultraviolet ladiation)处理,图4.28表示超低介电常数((2,5)的多孔薄膜的沉积I艺。图4,29是沉积超低介电常数((2.5)的多孔薄膜的设各,图4.30是超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的照片。表迮,10表示超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的特性。

    

      

   低介电常数层间绝缘膜(低乃材料)的用途为减小布线间的电容。布线问的电容与绝缘膜的相对介电常数和布线的横截面积成正比,与布线间隔成反比。 K4S2816320-LC75伴随加工技术的微细化,布线横截面积和布线问隔越来越小,结果导致布线间电容的增加。囚此,为了在推进加I技术微细化的同时叉不至于影响到信号传输速度,必须导人低乃材料以减小线间电容,从而可以很好地减少电信号传播时由于电路本身的阻抗和容抗延迟所带来的信号衰减。为了获得介电常数小于或等于2.5的低乃材料,研究出一种通过在有机硅化合物玻璃中对低乃材料进行紫外光热(ultraviolet ladiation)处理,图4.28表示超低介电常数((2,5)的多孔薄膜的沉积I艺。图4,29是沉积超低介电常数((2.5)的多孔薄膜的设各,图4.30是超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的照片。表迮,10表示超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的特性。

    

      

相关技术资料
10-21k为2.5的超低介电常数材料

热门点击

 

推荐技术资料

机器小人车
    建余爱好者制作的机器入从驱动结构上大致可以分为两犬类,... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式