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APCX/D工艺温度一般控制在气相质量输运限制区

发布时间:2017/10/15 17:36:19 访问次数:375

   尽管设备是冷壁式系统,但在常压下反应剂浓度较高,硅烷和氧气的反应仍可能在气相发生,形 PIC12F510成硅的氧化物颗粒,这将造成淀积薄膜质量下降,如表面形态差、密度低等一系列问题。通过降低反应剂浓度,添加足够剂量的氮气或其他惰性稀释气体,能够避免气相反应的发生,这也会降低淀积速率。而且,硅烷的氧化温度较低,所以当硅烷和氧在气体喷头处相遇时也会有反应发生,即使这些硅氧化物颗粒生长速率很低,但在淀积了若干衬底硅片以后,颗粒将长大到足以剥落,并落在衬底表面上。因此,APC`0工艺的主要缺点就是有气相反应形成的颗粒物。

    APCX/D工艺温度一般控制在气相质量输运限制区,薄膜淀积速率对衬底表面反应剂浓度敏感, 对衬底温度控制要求不是很严格,这与冷壁式反应器衬底温度远高于气流温度,气流的变化会引起衬底温度略有起伏相适合。所以,工艺过程中精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程,对淀积薄膜质量的提高和获得合理的淀积速率起着重要作用。

   对工艺设各来说,合理设计反应剂气体入口是APCVD设各发展的关键。图710所示是一种新型APC、①设备的进气喷嘴,反应剂A和B图两者之间被排气管道隔开,A和B在距离衬底表面很近的地方才混合,以避免反应剂气相反应形成颗粒物。

   尽管设备是冷壁式系统,但在常压下反应剂浓度较高,硅烷和氧气的反应仍可能在气相发生,形 PIC12F510成硅的氧化物颗粒,这将造成淀积薄膜质量下降,如表面形态差、密度低等一系列问题。通过降低反应剂浓度,添加足够剂量的氮气或其他惰性稀释气体,能够避免气相反应的发生,这也会降低淀积速率。而且,硅烷的氧化温度较低,所以当硅烷和氧在气体喷头处相遇时也会有反应发生,即使这些硅氧化物颗粒生长速率很低,但在淀积了若干衬底硅片以后,颗粒将长大到足以剥落,并落在衬底表面上。因此,APC`0工艺的主要缺点就是有气相反应形成的颗粒物。

    APCX/D工艺温度一般控制在气相质量输运限制区,薄膜淀积速率对衬底表面反应剂浓度敏感, 对衬底温度控制要求不是很严格,这与冷壁式反应器衬底温度远高于气流温度,气流的变化会引起衬底温度略有起伏相适合。所以,工艺过程中精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程,对淀积薄膜质量的提高和获得合理的淀积速率起着重要作用。

   对工艺设各来说,合理设计反应剂气体入口是APCVD设各发展的关键。图710所示是一种新型APC、①设备的进气喷嘴,反应剂A和B图两者之间被排气管道隔开,A和B在距离衬底表面很近的地方才混合,以避免反应剂气相反应形成颗粒物。

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