CM(B逻辑电路的制造技术是超大规模集成电路(VIsI)半导体工业的基础。R1EX24128BSAS0I在3.1节将会描述现代CMOS逻辑制造流程,用以制造NMOS和PM(E晶体管。现今,典型的CMOS制造I艺会添加一些额外的流程模块来实现多器件阈值电压(V1),例如不同栅氧厚度的IO晶体管、高压晶体管、用于DRAM的电容、用于闪存(Ⅱash memory)的浮栅和用于混合信号应用的电感等。在3.2节,将会简要地介绍不同的存储器技术(DRAM、⒏DRAM、FcRAM、PCRAM、RRAM、MRAM)和它们的制造流程。制造流程、晶体管性能、成品率和最终电路/产品性能之间有很强的关联性,囚此,CMOS和存储器制造流程的知识不仅对加工工程师和器件工程师十分必要,对电路设计和产品I程师也同样重要。