场效应管的类型与检测

   场效应晶体管简称场效应管(FET),又称单极型晶体管,它属于电压控制型半导体元器件。M25PX16-VMW6TG其特点是输入电阻很高(106~10ls Ω)、噪声小、功耗低、无二次击穿现象,受温度和辐射影响小,特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管均能实现信号的控制和放大,但由于它们的构造和工作原理截然不同,所以二者的差别很大。在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,是三极管所无法替代的。  

    场效应管分为结型(ⅢET)和绝缘栅型(MOS)。结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种;绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外,还有增强型与耗尽型之分。场效应管的电路图形符号如图1.14所示。