【原因分析】

   要分析此问题,首先从光电耦合器(简称光耦)谈起。光耦是一种隔离器件,在直流的情况下,可以使信号隔离其两侧,而且不影响信号的传输。 T3GC6WBG但是有一点很重要的是,光耦并非在任何情况能做到100%的隔离,所谓的隔离仅指直流或低频的情况下,由于光耦其器件的特性,其两侧之间是存在结电容的,这个结电容的存在使得高频下的隔离成为“不可能”。按照经验数据,一般一个光耦的结电容是2pF。可是千万不要忽略这个小的电容,而且在实际的产品中一般由于是多路信号传输,通常需要多个光耦并联,在本案例的产品中光耦的数量是5个,因此数字地与模拟地之间存在2pF×5=10pF的电容。在E「r/B试验的情况下,其干扰的共模电流流向如图5。鲳所示(关于EFT/B干扰的实质参见在案例“怎样 接口芯片接地才符合EMC”及2.1节中的说明):