晶闸管中频电源的零部件及配套件,如散热器、熔断器、电抗器、控制板,已标准化、系列化、JN5169/001Z批量生产化,给晶闸管中频电源的制造商及维护人员带来了极大的方便。

   MOsFET和IGBT等全控型功率半导体器件的容量已日益扩大,与⒑BT及MOS-FET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化,给中频和超音频中频电源的设计、制造奠定了技术基础。以IGBT和MOSFET为主功率器件的中频电源,其单机容量在⒛0kW以内,置作频率范围基本上都为⒛~⒛0kHz,超过⒛kHz的中频电源基本上都是采用M0⒊

FET。但目前MOSFET的额定参数限制了中频电源功率的提升,虽然可采用直接将MOsFET并联,或将MOSFET构成逆变桥,再多个逆变桥并联的方案,但却使主电路和控制电路复杂,可靠性下降。为此采用ICBT和MOSFET为主功率器件的中频电源,仍是需要进一步研发的课题。

    国内单机容量在500kW以上的中频电源的功率器件基本上是晶闸管电源,但I作频率最高不超过8kHz,容量最大已达硐00kW。单机容量达ω00kW的晶闸管中频电源正在开发中。从电路的角度来考虑中频电源的大容量化,可将大容量化技术分为两大类:一类是器件的串、并联;另一类是多桥或多台电源的串、并联。在器件的串、并联方式中,必须认真处理串联器件的均压问题和并联器件的均流问题,由于器件制造工艺和参数的离散性,限制了器件的串、并联数目,且串、并联数越多,装置的可靠性越差。多台电源的串、并联技术是在器件串、并联技术基础上进一步再容量化的有效手段,借助于可靠的电源串、并联技术,在单机容量适当的情况下,可简单地通过串、并联运行方式得到大容量装置,每台单机只是装置的一个单元(或一个模块)。