工艺设备:双管3英寸高温扩散炉,晶体管特性图示仪,探针台,源瓶,控温仪,气体流量计,石英舟,氧气瓶,氮气瓶。FFSH20120ADN_F155

   试剂:磷陶瓷源片(P2O:),硅胶干燥剂,分析纯HF。

   烘源:炉温1150℃;氮气流量0.5L/min,时间20min。

   磷主扩散:炉温1150℃,氮气流量为0.5L/min,时间在15~⒛min之间。

   三氧:炉温975℃;氧气流量为0.5L/llll n,时间为511・1n干氧→25min湿氧→10min干氧。

    磷扩散前准备

   1磷源准备

   P205源片无须活化,使用前应进行烘源,通常是在磷扩散温度将其推至扩散炉恒温区,通人氮气1L/min、约20min,将烘好的P205源片从炉中拉出放在炉口,待用。

   2陪片准备

   用切片机切割出已光刻发射区的硅片(和正片应全同)作为陪片,为节省起见每个陪片只需含几个管心即可。陪片与正片一起清洗,烘干后,待用。

   3硅片清洗

   硅片清洗方法和硼扩散前的清洗相同。

   注意:同样不可将湿硅片放置在有磷源的石英舟上,磷源比硼源更易受潮变形、失效。