通常,集成电路芯片的Al焊区是分布在芯片周边的.这是为了便于WB和TAB焊接。随着集成PCF8598C-2-LF度的日益提高,功能的不断增加,其I//O引脚的Al焊区数越来越多(数百至数千个),芯片周边的焊区尺寸和节距越来越小,有的还要交错布局;当焊区尺寸和节距均小于40um时,TAB焊接是不成问题的,但WB就十分困难了。于是,I/O数更高的集成电路芯片周边焊区必然要向芯片中心转移,后来就发展成为焊区面阵排列的集成电路芯片,如FC那样。

   ⒛世纪90年代中后期,日本首先开发,而后在全球迅速发展的CSP多达数十种,但基本可归纳为以下几类,即柔性基板CSP、刚性基板CSP、引线框架式CSP、焊区阵列CSP、微小模塑型CSP、微型

BGA(uBGA)、芯片叠层型CSP、QFN型CSP、BCC和圆片型CSP等。各类CSP竞相发展,特别是在通信领域呈供不应求之势。尤其是其中的圆片型CsP,因其可在通常制作集成电路芯片的Al焊区完

成后,继续完成CSP的“封装”制作,使其成本、性能及可靠性等较前几类具有潜在的优势。至今国际上大型的集成电路封装公司都纷纷投向这类CSP的研制开发,该封装称为圆片级CSP(WLCSP),又

称为圆片级封装(WLP)。除MP外,其他各类C叩都须先将一个个C芯片分割后,移至各种载体上对芯片lVB、7出或FCB,最后还要模塑或芯片下填充才可完成C叩的制作过程。模塑既可以是单个模塑,也可以是芯片连接好整体模塑再切割,但都工艺复杂,又不连续,因而成本、质量也各不相同。而在集成电路工艺线上完成的CSP,只是增加了重布线和凸点制作两部分,并使用了两层BCB或PI作为介质层和保护层,所使用的工艺仍是传统的金属淀积、光刻、蚀刻技术,最后也无须再模塑等。这与集成电路芯片制作完全兼容,所以,这种WI'P在成本、质量上明显优于其他CSP的制作方法。典型WLP的工艺流程如图1411所示,制作完成的WI'P局部结构如图1迮-12所示。