①提高了溅射效率,使薄膜的淀积速率也有大幅度提高,薄膜淀积速率与直流溅射相比提高了一个数量级。 L79L05ACD13TR

   ②可以降低系统内工作气体的气压,如当工作气体的气压在105Pa时都能形成等离子体,这使所淀积薄膜的纯度有所提高。

   ③被磁场束缚的二次电子在与气体粒子多次碰撞之后能量迅速降低,被复合消失掉,这就显著地减少了高能二次电子对安装在阳极上的衬底的轰击,降低了由此带来的衬底损伤和温升。 磁控溅射技术发展迅速,目前已有多种类型的磁控溅射设各和相应的工艺方法被广泛应用。按电场划分有直流、中频和射频磁控溅射;按可安装靶的数量划分有单靶和多靶;按靶与磁场几何结构划分叉有同轴型、平面型和S枪型等多种。

   当前,在微电子工艺中普遍使用的是平面型磁控溅射设备,这种类型的设备是从直流平板式溅射设备发展起来的,一般都配各有直流、射频等多种溅射电源;在淀积室也有多个靶座,可进行多靶同时溅射或多靶顺序溅射。图⒌25所示的SR3型磁控溅射台就是一种平面型磁控溅射设备。SP3型磁控溅射台是中科院微电子研究所研制的,通过该 图⒏25 SP3型磁控溅射台 设备可以了解当前微电子I艺中采用的磁控溅射设备的性能和特点。