对于衬底旋转,除了可以改善衬底的高形貌差投射出阴影区的薄膜覆盖问题之外,还可以改善所 L6562DTR(LF)淀积薄膜厚度的均匀性。在8,3.1节对源气相输运过程进行分析中曾得出,假如蒸镀源与各衬底硅片是在同一球体的球面位置上,所淀积在各硅片上薄膜厚度的均匀性就好。基于此,在当今的真空蒸镀系统中,衬底支架设计为半球形的夹具机构,坩埚表面也位于该球的表面位置上,衬底夹具机构可做行星式转动,且转动过程中也一直保持夹具上的衬底和坩埚内的液面在球面上。这样的夹具机构改善了薄膜厚度的均匀性,但也增加了真空室的复杂性。

   尽管进行了衬底加热和旋转后,真空蒸镀工艺的薄膜保形性会有所改善,但是并不能彻底解决蒸镀薄膜台阶覆盖特性较差这一问题。衬底表面有微结构时,在台阶侧壁上的淀积速率仍低于平坦表面,台阶底部会成为轴向对称的中间厚、角落薄的薄膜,如图817(b)所示。

   另外,在光刻剥离技术中,为利于淀积在光刻胶上的金属或合金薄膜的剥离,通常尽量降低蒸镀时的衬底温度,如采取冷蒸方法。