设备条件是了解所用蒸镀设各的情况,确定可蒸镀的薄膜及操作方法。电子束L3G4200DTR蒸镀设各是当前使用最多的设备,它可以制各的薄膜材料范围广泛,如常用金属、难熔金属、合金、化合物等。但是,电子束蒸镀对衬底有辐射损伤,M(E器件和电路对辐射损伤敏感,一般不采用电子束蒸镀工艺来制备它的金属化系统,此时可以采用电感蒸镀设各。而常用金属薄膜,如果对薄膜纯度要求不高,通常使用结构简单的电阻蒸镀设备就能满足要求。

   在按照上述三方面确定了蒸镀薄膜工艺的方法、条件之后,尽管薄膜、衬底、设备有所不同,具体I艺有所差异,但都有如下的工艺步骤:准备一抽真空→预蒸→蒸发一取片。

   ①准各。将清洗干净的衬底摆放在支架上,试旋转衬底;源装在加热器内,根据源选择加热器,如铝丝用钨丝加热器,银粉用钼舟加热器,高熔点材料采用电子束加热器等。

   ②抽真空。打开真空系统,抽真空至基压达104Pa以上,再打开衬底加热器对衬底烘烤,使衬底及真空室壁面吸附气体解吸,再对衬底表面进行电子束流的轰击,以去除衬底光刻窗口本征生长的氧化层或所吸附物质,清洁衬底表面,进一步提高真空室的真空度。

   ③预蒸。不开挡板,加热源蒸发,以去除源表面的氧化物等不纯物质。

   ④蒸发。打开挡板开始蒸镀,源加热功率应适当(使坩埚温度控制在蒸发工艺温度)。功率过高,蒸发速率过快,所淀积的薄膜晶粒长大、表面不平整;功率过低,薄膜疏松、与衬底黏附不牢。薄膜厚度满足要求立即关断挡板,完成蒸镀。

   ⑤取片。蒸镀完毕不要立即取出衬底硅片,必须等温度降至室温附近再停止抽真空,停机取片,以避免高温薄膜遇空气氧化或吸附空气中杂物。考虑使用方便起见,工程上直接将蒸发物质、蒸发温度和蒸发速率之间的关系绘制成为诺漠图,需要时应查阅相关资料。