由于CVD工艺制备的薄膜具有台阶覆盖特性好,工艺温度较低等优点,因此,在集成电路互连系统中使用的金属、ACT8846QM468-T金属硅化物和氮化物薄膜的CN△D工艺也不断开发出来,如CVD钨、硅化钨及氮化

钛已应用于超大规模集成电路的生产工艺中。

    钨及其化学气相淀积

   在集成电路中,难熔金属钨(W)、钛(Tl)、钽(Ta)、钼(Mo)等普遍应用于金属互连系统,其中W在集成电路多层互连技术中使用得最为广泛。主要有两方面用途,其一是作为连接两层金属之间通孔的填充插塞(Pltlg),图733所示是上、下导电层使用“钉头”和“插塞”电连接示意图;其二是作为部互连材料。 在多层互连系统中,上下两层金属之间电连接通孔的填充方式有“钉头”和“插塞”,从图⒎33中可以看出“插塞”所占面积小,更适合在超大规模集成电路中采用。60 W有较好的台阶覆盖能力和通孔填充能力,CVD工艺制各的钨插塞可以填充孔径较小、深宽比较大的通孔。

   而钨作为局部互连材料是因为它在所有金属当中熔点最高  可达3410℃。而且,除了具有较高的热稳定性之外,还具有较低的电阻,在⒛℃时的体电阻率,低得多,和NIo(2.8uΩ・cm)相当,只有重掺杂多晶硅薄膜电阻率的1/⒛0。但是,和铝、铜等低阻导电金属相比,其电阻率还是较高,不适合作为互连系统的导电层,因此,只在某些需要难熔导电层的场合作为局部互连材料。