以SlH砭/N2为反应剂淀积氮化硅时,如果其他的工艺条件与以SiH1/NH3为反应剂时相同,则N2和sH1之比需要高达(100:1)~(1∞0)。这是因为N2的等离子化速率比sH,慢得多,只有ACT2802QL-T1026等离子化的反应剂之间的化学反应才能在低温下进行,所以气体N2的浓度应远高于sH4。另外,由于N2比NH3更难以分解,薄膜的淀积速率也较低。化学反应方程式为

    ⒏H1(g)+N2(g) -・si,N3Ht(s)+HL(g)

   实际上,由sH1/N2制各的氮化硅薄膜中氢的含量较少。在7%~15%之间,但薄膜中还会含有少量的氮气分子。因此,使用氮气代替氨气淀积的薄膜的致密度有所提高。但击穿电压有所降低,台阶覆盖性也较差。

   近年来,高密度等离子体技术也应用到氮化硅薄膜制各中,如电子回旋共振技术。HDP C、①的应用使得N2的等离子化速率加快,可以在较低温度下,在无离子轰击衬底的情况下就形成原子N。因此,以⒏H逆/N2为反应剂采用HDPC、0方法可以在低于200℃淀积sNy。以sH1为硅源制备的PEClJTD s厶N1薄膜的性质及淀积速率都与具体淀积条件密切相关,如电场频率、功率、气体压力、衬底温度、反应气体分压、反应器的几何形式、电极结构与材料和抽气速率等。其中,有些参数的影响是可预见的,例如,在一定范围内,功率、温度和反应剂分压增加,淀积速率增加;衬底温度增加薄膜质量将提高等。而某些参数的影响至今还无法科学地解释,如低频等离子体,频率为50kHz时,淀积的⒊3N4薄膜的内应力为压应力,约2×10:Pa;而高频等离子体,频率为13.56MHz时,淀积薄膜的内应力则为张应力,约4×103Pa。