低压化学气相淀积(Low Pre~smre CX/△D,LPCⅥD是在APCVD之后出现的又一种以热激活方式淀积薄膜的C、0工艺方法。通常LPCVD的反应室气压在1~100h之间调节,主要用于淀积介质OPA134UA薄膜。LPCX/D设各也有多种结构类型,图⒎11所示是两类常用LPCVD设备示意图。图⒎12所示

     LPCVD水平式反应器如图⒎11(a)所示,它与APCVD的不同之处除了增加了真空系统以外,还使用普通的电阻加热方式,衬底硅片垂直放置在热壁式反应器(即炉管)内,这些都和普通扩散炉一样。水平式LPCVD与APCVD相比具有以下优点:衬底的装载量大大增加,可达几百个硅片,更适合大批量生产;气体的用量大为减少,节约了源材料;使用结构简单功耗低的电阻加热器,降低了生产成本。囚此,水平式LPCVD更适合作为批量化生产的标准工艺,目前已基本替代退℃VD被广泛用于介质薄膜的制各。

   在图⒎11(b)所示的立式反应器中,反应剂气体由喷头进人反应室,直接扩散到硅片表面。新型的LPCVD设备多是采用立式反应器结构,一方面硅片是水平摆放在石英支架上,利于批量生产中机械手装卸硅片;另一方面更利于气流的均匀流动使反应剂扩散到达衬底硅片表面,淀积的介质薄膜的均匀性好于水平式LPCVD。