投射式气体浸入激光掺杂(P GILD)是一种变革性的掺杂技术,它可以得到其他方法难以获得的突变掺杂分布、超浅结深度和相当低的串联电阻。 RT8208BGQW通过在一个系统中相继完成掺杂、退火和形成图形,PGILD技术对工艺有着极大的简化,这大大地降低了系统的I艺设备成本。近年来,该技术已成功地用于CMOs器件和双极型器件的制备中。RGII'D技术有着许多不同的结构形式和布局,但原理基本一致,它们都有两个激光发生器、均匀退火和扫描光学系统、介质刻线区、掺杂气体室和分布步进光刻机。晶片被浸在掺杂的气体环境中(如BF3、AsF5),第一个激光发生器用来将杂质淀积 在硅片上,第二个激光发生器通过熔化硅的浅表面层将杂质推进到晶片中,而掺杂的图形则由第二个激光束扫描介质刻线区来获得。在这一工艺技术中,熔融硅层再生长的同时完成杂质激活,不需要附加退火过程。

   P-GILD技术的主要优势:由于PGILD技术无须附加退火过程,整个热处理过程仅在纳秒数量级内完成,故该技术避免了常规离子注人的相关问题,如沟道效应、光刻胶、超浅结与一定激活程度之间的矛盾等。

    P-GILD要缺点是集成工艺复杂,技术尚不成熟,目前还未成功地应用于℃芯片的加工中。