当栅氧化层厚度一定时,注人杂质的深度随注人离子的能量而变化。离子能RF7320TR7量低时,杂质离子穿不透⒊o2层,阈值电压不变。随着离子能量的增加,通过s02层到达s表面的杂质逐渐增加,AV.s也随之而增大,直到保留在sO2膜中的杂质量可以忽略为止。离子能量增加到一定程度时,△‰显著减小,因为较深的注入杂质不影响在表面附近形成的耗尽区。如果注人离子的能量足以使注人离子深人到硅内0.3um左右,并形成沟道,这时栅极将失去控制作用,MOSFET对于任何栅压将始终处于导通状态。      

   值实际上包括氧化膜中的正电荷,氧化膜与硅界面上的陷阱等。这种所谓的表面态电荷密度,是影响`Γ值的重要因素。同样,注入离子剂量和退火条件、注人条件和⒊G层厚度都会影响MOS管阈值电压变化。从讨论中发现,虽然影响VT值的因素很多,但主要因素是材料的电阻率和硅/绝缘栅界面处的表面电荷密度,尤其是对于确定的MOS工艺和Al Sio2si的结构来说,衬底的电阻率对`r的影响更是主要的。但是,衬底的电阻率不可能无限制地增大,因为提高电阻率能降低值,但也会使pn结耗尽层的延伸区增大,使p沟道MOS器件发生多种现象。并且使器件场氧化物阈值电压降低,容易发生寄生场效应,进而将会破坏整个集成电路的正常工作。作为MOS集成电路可靠性的一个指标,场氧化物阈值电压(或叫厚膜开启电压)和器件阈值电压(也叫薄膜开启电压)之比越大越好。采用离子注入技术,向p型沟道区域注人使沟道lx^域电阻率提高,降低器件阈值V・f;向场区注人相反的离子如卩+,使衬底电阻率局部降低,提高场氧化物的阈值电压。这样不仅可以使器件的阈值电压降到很低,而且大大提高了场氧化物阈值电压与器件阈值电压之比。