图626表示磷的等时退火特性,虚线所M74HC4066RM13TR表示的是损伤区还没有变为非晶层时的退火特性,实线 则表示非晶层的退火特性。当剂量从3×1012olrls/cm2增到3×10noⅡ/cm2时,注人层不是无定形,为消除更为复杂的无规则损伤,需要相应提高退火温度。在低剂量时,磷的退火特性与硼相似,然而,当剂量大于1015oll~s/cm2时,形成的无定形层出现了不同退火机理。对所有高剂量注人,基本适合的退火温度仅600℃左右,此时在单晶衬底上发生无定形层的同相外延生长,此温度低于非无定形的退火温度。在外延生长过程中,Ⅴ族施主原子与硅原子没有区别地同时以替代位方式结合人晶格。无定形层在深度上不连续,是掩埋层情况的,退火的外延生长过程可同时出现在两个界面上9当生长界面 图⒍26 磷的等时退火特性   最后相遇时可能发生位错现象。深度分布的不同部位的退火行为也有差别:在尾部的低浓度(101s菠om√cm3)掺杂(表层浓度相当10121ons/c很容易退火,而分布的次无定形(中等浓度至1017atoms/cm3)部分中的掺杂只有较低激活率。这种现象来源于注人的无定形层边界和低浓度的分布尾部之间存在高密度缺陷。

    关于室温注入砷和锑的退火特性,除了它们在较低剂量就可形成无定形层之外,基本上与磷注人的退火特性相同。表63所示为一些杂质在退火后在s、Ge晶格中的位置。在同样退火条件下,硅中注人的P、B、Bl、乩皆有较为良好的退火特性,85%以上的注入离子都处于替位位置。