由表61可见,随着注人离子能量的增加,不但分布朝离开表面的深度方向移动,并且横PG905C4向扩展逐渐变大;在注人能量相同的情况下,质量轻的离子,横向分布的扩展大于纵向的扩展,随着离子质量的增加,情况逐渐向相反方向变化。AR⊥小于RP的一半,如果用RP和ΔR~分别粗略地表示离子注入的结深和横向扩展的大小,则与热扩散法掺杂时杂质的横向扩展线度接近结深相比,采用离子注入技术掺杂,杂质的横向扩展要小得多。

   如图611所示是杂质注人到硅靶中的等浓度曲线,其中,图611(a)所示是几种主要杂质,通过1um宽掩膜窗口以70keV能量注人到硅靶中的等浓度曲线;图611(b)为通过同样窗口,以不同能量注入硅靶中的磷离子的0.1%等浓度曲线。

   图612 注人无定形硅靶中的硼、磷和砷的巫p、龃与人射能量的关系

   横向效应直接影响了MOS晶体管的有效沟道长度。对于掩膜边缘的杂质分布,以及离子通过一窄窗口注人,而注人深度又同窗口的宽度差不多时,横向效应的影响更为重要。

   由以上讨论可以看到,在非晶靶情形,射程分布取决于人射离子的能量、质量和原子序数,靶原子的质量、原子序数和原子密度,注入离子的总剂量以及下面将要说明的注人期间靶的温度。对于单晶靶,射程分布还依赖于晶体的取向。