在集成电路制造中,注入离子的能量一般为5~500keV.而注入的叉往往是重离子。这样的注人情况,进人靶内的离子不仅与靶内的自由电子和束缚电子发生相互作用,而且与靶内原子核发生相互作用。 PA905C6基于这种情况,在1963年,J。ut1d№rd、⒌腕rⅡ和H.E,⒌hot首先确立了注人离子在靶内的分布理论,简称LSs理论。该理论认为,人射离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程,即人射离子与原子核的碰撞(核阻挡过程)和与电子(束缚电子和自由电子)的碰撞(电子阻挡过程),总能量损失为它们的和。因此,为了确定注入离子的浓度(或射程)分布,首先应考虑入射离子与样品中的原子核和电子发生相互作用而损失能量的过程。

   核碰撞指的是人射离子与靶内原子核之问的相互碰撞。离子与原子核碰撞,离子将能量转移给靶原子核,这使人射离子发生偏转,也使很多靶原子核从原来的格点移位。由于人射离子与靶原子的质量一般不同,因此每次碰撞之后,入射离子都可能发生大角度的散射并失去一定的能量;靶原子核也因碰撞而获得能量,如果获得的能量大于原子束缚能,就会离开原来所在位置,进人晶格间隙,成为填隙原子核并留下一个空位,形成缺陷。