化合物半导体是两种或多种元素按一定组分构成的,这种材料经高温处理时,组分可能发生变化。 PA886C02R采用离子注人技术,基本不存在该问题.囚此容易实现对化合物半导体的掺杂。

    在集成电路制造中应用离子注入技术主要是为了进行掺杂,分为两个步骤:离子注入和退火再分布。离子注入是将含杂质的化合物分子(如BC⒈}、BF3)电离为杂质离子后,聚集成束并用强电场加速,使其成为高能离子束,直接轰击半导体材料。在掺杂窗口处,杂质离子被注人衬底材料本体,在其他部位,杂质离子被衬底材料表面的保护层屏蔽,以实现有选择地改变这种材料表层的物理或化学性质,完成选择掺杂的过程。被掺杂的衬底材料一般称为靶材料。靶材料可以是晶体,也可以是非晶体。虽然在集成电路制造中被掺杂的材料大多数都是晶体,但为了精确控制深度,避免沟道效应,往往使靶(硅片)的晶轴方向与人射离子束方向之间具有一定的角度。这时的晶体靶就可以按非晶靶来处理。非晶靶,也称为无定形靶,在实际应用中有着普遍的意义。另外,常用的介质膜,如⒊O2、弘\、川203和光刻胶等都是典型的无定型材料。

   退火再分布是在离子注人之后为了恢复损伤和使杂质达到预期分布并具有电活性而进行的热处理过程。一束离子轰击靶时,其中一部分离子在靶表面就被反射,不能进人靶内,称这部分离子为散射离子,进人靶内的离子称为注人离子。注人离子在靶内一定的位置形成一定的分布。通常,离子注人的深度(平均射程)较浅且浓度较大,必须重新使它们再分布。掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定,掺杂浓度由注人杂质离子的数日(剂量)决定。同时,由于高能粒子的撞击,导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复品格损伤,在离子注人后要进行退火处理。根据注人的杂质数量不同,退火温度在450~950℃之间,掺杂浓度大则退火温度高,反之则低。在退火的同时,掺人的杂质同时向硅体内进行再分布,如果需要,还要进行后续的高温处理以获得所需的结深和分布。离子注人技术以其掺杂浓度控制精确、位置准确等优点,正在取代热扩散掺杂技术,成为VLSI工艺流程中掺杂的主要技术。