气态源扩散
发布时间:2017/5/14 18:14:58 访问次数:1078
杂质源为气态(如BCL、戥H6、PH3、AsH3等),稀释后挥发进人扩散系统的扩散掺杂过程称为气态源扩散, R1240N001B-TR-F气态源扩散系统如图517所示。
进人扩散炉管内的气体,除了气态杂质源外,有时还须通人稀释气体,或者是气态杂质源进行化学反应所需要的气体。气态杂质源一般先在硅表面进行化学反应生成掺杂氧化层,杂质再由氧化层向硅中扩散。对气态源扩散来说,虽然可以通过调节各气体流量来控制表面的杂质浓度,但实际上由于杂质总是过量的,所以调节各路流量来控制表面浓度是不灵敏的。气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,而且易燃易爆,操作上要十分小心,实际生产中很少采用。
杂质源为气态(如BCL、戥H6、PH3、AsH3等),稀释后挥发进人扩散系统的扩散掺杂过程称为气态源扩散, R1240N001B-TR-F气态源扩散系统如图517所示。
进人扩散炉管内的气体,除了气态杂质源外,有时还须通人稀释气体,或者是气态杂质源进行化学反应所需要的气体。气态杂质源一般先在硅表面进行化学反应生成掺杂氧化层,杂质再由氧化层向硅中扩散。对气态源扩散来说,虽然可以通过调节各气体流量来控制表面的杂质浓度,但实际上由于杂质总是过量的,所以调节各路流量来控制表面浓度是不灵敏的。气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,而且易燃易爆,操作上要十分小心,实际生产中很少采用。
相关技术资料- 5-14气态源扩散
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- R1240N001B-TR-F
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