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氧化物窗口边缘扩散杂质等浓度曲线

发布时间:2017/5/14 17:51:41 访问次数:752

   由图⒌13中曲线可见,硅内浓度比表面浓度低两个数量级以上时,横向扩散的距离约为纵向扩散距离的75%~85%,这说明横向结的距离要比垂直结的距离小。 R1170H181B-T1-HB如果是高浓度扩散情况,横向扩散的距离为纵向扩散距离的65%~70%。在粗略的近似下,可以认为横向扩散的距离就等于纵向扩散的距离。扩散pll结的横截面在扩散窗口边缘处可近似认为是圆形的,但这只适用于衬底未掺杂或掺杂均匀的情况。对于经过扩散掺杂的衬底(如扩散基区),其中杂质浓度的分布在横向是均匀的,但在纵向则不是均匀的,在这种衬底上进行掩蔽扩散(如发射区扩散)时,在窗口边缘处的横向扩散结深将明显地小于纵向扩散结深,如图514所示是横向和纵向扩散结深示意图。

     

   图513 氧化物窗口边缘扩散杂质等浓度曲线

   由于横向扩散的存在,实际扩散区域要比二氧化硅窗口的尺寸大,其后果是硅内扩散区域之间的实际距离比由光刻版所确定的尺寸要小,如图515所示是横向扩散长度对沟道长度的影响。图515中L表示由光刻工艺所决定的两个区域之间的距离,L′表示实际距离,这种效应直接影响ULsI的集成度。另外,在这种情况下扩散后,窗口边缘处的浓度要比窗口中部的浓度低,由于扩散区域的变大,对结电容也将产生一定的影响。不过这在实际中无关紧要,因为扩散pll结处的浓度总比表面浓度低得多。离子注入的横向扩展小、掺杂温度低、控制精度高。囚此,在LSI和VIsI中常采用离子注人进行掺杂。

   由图⒌13中曲线可见,硅内浓度比表面浓度低两个数量级以上时,横向扩散的距离约为纵向扩散距离的75%~85%,这说明横向结的距离要比垂直结的距离小。 R1170H181B-T1-HB如果是高浓度扩散情况,横向扩散的距离为纵向扩散距离的65%~70%。在粗略的近似下,可以认为横向扩散的距离就等于纵向扩散的距离。扩散pll结的横截面在扩散窗口边缘处可近似认为是圆形的,但这只适用于衬底未掺杂或掺杂均匀的情况。对于经过扩散掺杂的衬底(如扩散基区),其中杂质浓度的分布在横向是均匀的,但在纵向则不是均匀的,在这种衬底上进行掩蔽扩散(如发射区扩散)时,在窗口边缘处的横向扩散结深将明显地小于纵向扩散结深,如图514所示是横向和纵向扩散结深示意图。

     

   图513 氧化物窗口边缘扩散杂质等浓度曲线

   由于横向扩散的存在,实际扩散区域要比二氧化硅窗口的尺寸大,其后果是硅内扩散区域之间的实际距离比由光刻版所确定的尺寸要小,如图515所示是横向扩散长度对沟道长度的影响。图515中L表示由光刻工艺所决定的两个区域之间的距离,L′表示实际距离,这种效应直接影响ULsI的集成度。另外,在这种情况下扩散后,窗口边缘处的浓度要比窗口中部的浓度低,由于扩散区域的变大,对结电容也将产生一定的影响。不过这在实际中无关紧要,因为扩散pll结处的浓度总比表面浓度低得多。离子注入的横向扩展小、掺杂温度低、控制精度高。囚此,在LSI和VIsI中常采用离子注人进行掺杂。

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