在集成电路制造过程中,扩散的目的就是向晶体中掺人一定数量的某种杂质,并旦希望掺入的杂质按要求分布。 MAX7312ATG+T 由于扩散模型本身做F理想化的假设,并且忽略了实际扩散过程中所出现的各种效应。所以,实际分布常常偏离理论分布。原因如下:扩散系数在某些场合不是常数;实际扩散过程中存在横向效应;硅衬底的晶向、晶格完整性等都对扩散速率、杂质分布有影响。

    实验发现硅中掺杂原子的扩散,除了与空位有关外,还与硅中其他类型的点缺陷有着密切的关系。实际上,固溶体中溶质原子的扩散系数D是随浓度变化的,而且还受到其他效应的影响,造成与菲克定律所计算的理论结果存在偏差。有两个主要效应为菲克定律所不能解释:①氧化增强扩散;

    发射区推进效应。其他还有横向扩散效应、场助扩散效应等。本节基于硅中存在的其他类型点缺陷对杂质扩散的影响讨论这些效应。