当掺杂的硅被热氧化时,会形成一个把⒊和⒊o2分开的界面,即⒊/SiO2界面。在氧化过ONET1191PRGTR程中这个界面是不断向硅中移动的,因此原先在硅中的杂质在界面上要进行重新分布,直到界面两边的化学势相等为止。这种由于高温热氧化过程而引起的杂质再分布的结果,会造成s/s02界面两端的杂质分布有突变,与⒊O2接触的⒏界面的电学特性也将发生变化,在极端情况下甚至会使⒏O2层下面的硅表面产生反型层。

   杂质再分布由杂质的分凝效应、杂质在s和⒊o2中的扩散速率、杂质通过s02表面逸散,以及界面移动这几个因素决定。

   任何一种杂质在不同相巾的溶解度是不相同的,当两个相紧密接触时,原来存在某一相中的杂质将在两相之间重新分配,直到在两相中浓度比为某一常数为止,即在界面两边的化学势相等,这种现象称为分凝现象。定义在⒏/sK)2界面上的平衡杂质浓度之比为分凝系数,记为Κ:,″s、″sK、分别表示杂质在硅与工氧化硅中的浓度。