离子注入是将杂质离子直接射入硅衬底,是非热力学平衡过程,掺杂浓度和分布易于控制,杂质KA3361CDTF浓度不受固溶度限制,掺杂浓度的范围广。但掺杂后必须通过退火来激活杂质和消除杂质人射对衬底晶格造成的损伤,退火温度通常在800℃以上。离子注入工艺适合浅结掺杂和对浓度及分布要求较高场合的掺杂。当前在集成电路芯片制造中,通常是离子注入与扩散两种工艺混合使用进行掺杂,即采用离子注人将定量杂质射入衬底硅表面,再通过扩散将杂质推入衬底内部,形成所需分布。

   氧化、扩散是高温工艺,而离子注人的退火也须在高温进行,并且这=项工艺都是对硅本体的加丁,衬底硅也参与其中,因此,本单元是介绍硅参与的高温工艺。在高温I艺中硅衬底性质,如晶格完整性、晶向等都对工艺有影响。高温工艺会带来衬底硅中杂质的再分布现象,在芯片制造后期采用该工艺会对性能带来影响,且考虑到能耗等问题,降低工艺温度长期以来都是高温工艺的发展方向,而快速热处理技术(如快速退火)正是在此基础上出现并不断发展完善起来的。