氧化与掺杂是最基本的微电子平面工艺之一。KA3361CD通常氧化是指热氧化单项工艺,是在高温、氧(或水汽)气氛条件下,衬底硅被氧化生长出所需厚度二氧化硅薄膜的工艺。掺杂是指在衬底选择区域掺人定量杂质,其包括扩散掺杂和离子注人掺杂两项工艺。扩散是在高温有特定杂质气氛条件下,杂质以扩散方式进人衬底的掺杂工艺;而离子注人是将离子化的杂质用电场加速射人衬底,并通过高温退火使之有电活性的掺杂工艺。两者都可通过氧化和光刻等工艺在衬底表面先制备氧化层掩膜(或其他掩膜),再进行掺杂,从而实现在硅衬底选择区域(掩膜窗口)的掺杂。

   热氧化工艺制各二氧化硅薄膜需要消耗衬底硅,工艺温度高,通常在900~1200℃之间,是一种本征生长氧化层方法。在集成电路工艺中二氧化硅是最重要的介质薄膜,而制备二氧化硅薄膜的方法有多种,除了热氧化方法之外,还有化学气相淀积、物理气相淀积等方法,热氧化制备的氧化层致密,与硅之间的相容性好,在氧化层/硅界面硅晶格完好,这也是硅能成为最主要集成电路芯片衬底的原囚之一。在MOS分离器件或电路中的栅氧化层都是采用热氧化工艺中薄膜质量最好的干氧方法制备的,而掺杂掩膜用的氧化层通常也是采用热氧化I艺来制备的。

   扩散工艺是准热力学平衡过程,高温下杂质溶人硅中,因存在浓度梯度杂质向内部扩散,因此,扩散掺杂受平衡浓度  固溶度的限制。高温下杂质在硅中的固溶度高,扩散速率快,故I艺温度通常在900~1200℃之间。扩散工艺对杂质浓度和分布的控制能力较低,目前多用于制造大功率分立器件的深结掺杂,或者中、低集成度双极型电路的埋层掺杂和隔离掺杂。