热扩散是在1000 cC左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素气态下、扩G34N100E散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内，气态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜，在芯片应用中，热扩散也称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。、扩散掺杂是一个化学反应过程  由物理规律支配杂质的扩散运动．

    离子注入是一个物理过程，晶圆被装在离子注入机的一端，掺杂离子源（通常为气态）在另·端在离子源一端，掺杂体原子被离子化（带有一定的电荷），被电场加到超高速，穿过晶圆表层，原子的动鼍将掺杂原子注入晶圆表层，就好像一粒子弹从枪内射入墙中.

   掺杂：艺的目的是在晶圆表层内建立兜形区，或是富含电子（N型）或是寓含审穴（P刭）  这些兜形区形成电性活性区和PN结，在电路中的晶体管一二极管、电容器、电阻器都依靠它割4.15  晶片表面的N型和P型掺杂区的构成.

   热处理是简单地将晶圆加热和冷却来达到特定结果的制程  在热处理的过程中，在晶圜}二没有增加或减去任何物质，然而一L艺过程叮能会在晶圆中或晶在离子注入制程后会有·步重要的热处理掺杂原子的注入所造成的晶圆损伤会被热处理修复，这称为退火( anneal)，温度在1000℃左右  另外，金属导线在晶圆f：制成后会有·步热处理，这螳导线在电路的各个器件之问承载电流，为r确保良好的导电性，金属会在450。C热处理后与晶圆表面紧密熔合热处理的第三种重要用途是通过加热在晶圆表面的光刻胶将溶剂蒸发掉，从而得剑精确的图形.