化学机械抛光( CMP)：一种使晶体平坦和抛光的工艺。将化学去除和机械抛光结合到一起， ADC11DS105CISQE+用于晶体生长后的晶圆磨平抛光和晶圆制造工艺过程中的平垣化。

    芯片( chip)：芯片或器件  晶圆1：单个的集成电路或分立器件。芯片尺寸封装( chip scale package)：与芯片尺寸相当的芯片封装形式．铬(Cr)：掩模版制造中的常用金属．用来做生成电路图形的薄层电路板（circuit board）：参见印制电路板。

   电路布局( circuit layout)：为产生需要的电学参数而做的关于物理器件尺寸的计算，垂自尺 度决定【：VI）和掺杂层厚度的规范；水平尺度决定晶圆图形的尺度，并作为最终电路的比例绘斟（复合绘图）的基础。

   净化度( class number)：在  、’，^方英尺窄气中污染物微粒的数量净化间( clean room)：半导体器件制备的区域。室内的洁净度高度受控，以限制半导体町能接触到的污染物的数量，

   亮场掩模版( clear field mask)：-种掩模版，其上的图形由不透明区域决定。集簇设备( cluster tool)：几个I：艺机台或设备共用同一加载一卸载室和晶圆传送系统，互补型场效应晶体管( CMOS)：N型和P型沟道MOS晶体管在同一芯片、集电极(collector)：与基区和发射区一起作为双极型晶体管的重要区域，．

   平行光束( collimated light)：光线平行的光束，用于表面观察．，复合图( composite drawing)：最终电路的比例绘图。

电导性( conductivity)：材料传导电荷的能力（电导率以西门子单位，电阻以欧姆为单位）导体( conductor)：具有低电阻和高电导率的材料。，