提供r一条低电阻的通路，  一般掩埋层ADC11C125CISQ+掺杂物为锑和砷。封罐( can)：一种金属封装，用来将芯片通过3—5个管腿连接到印制电路板h电容器( capacitor)：一一种分立器件，将电荷储存在有介质分隔的两个导体卜电容( capacitance)：电荷储存的能力。

   电容~电压图（C-V图）：一种可以提供关于在氧化层中可动离子杂质量的信息的绘图i承载气体( carrier gas)：惰性气体，可以将一种所需物质的原子或分子输运到反庇室中、载流子激发结深探测（carrier illumination junction detection）：一种通过载流子电荷在由激光束入射的结边的积累，确定结深的非破坏性系统。

   厘斯托克( centistoke)：黏度测量单位，动力黏度单位厘泊(centipoise)除以密度。，沟道( channel)：半导体中的一个狭窄区域来支持导电。沟道可以在表面或体内形成，对MOSFF  IT和SIGFF.T的性能都很关键。如果沟道不是电路设计的一部分，其存在会体现町能的污染问题或是隔离不完全问题。

   隧道效应( channeling)：-种离子束穿透并进入晶圆晶体平面的现象。通过“偏离晶向”切割品圆可以防止隧道效应的产生，其效果是使晶面相对离子束的方向倾斜电荷载流子( charge carrier)：固体器件的晶体中电荷的载体，如电子或窄穴，化学刻蚀( chemical etching)：通过液体反应物有选择地去除某种材料。刻蚀的精确度由刎蚀液的温度、浸入时间及酸性腐蚀液的成分来控制。