静电对器件造成的损坏有显性的和隐性的两种。隐性损坏在当时看不出来,器件会变得更脆弱,REF02EZ在过压、高温等条件下极易损坏。

   EsD两种主要的破坏机制是:由于EsD电流产生热量导致设各的热失效;于ESD感应出高的电压导致绝缘击穿。两种破坏可能在一个设各中同时发生,例如,绝缘击穿可能激发大的电流,这又进一步导致热失效。除容易造成电路损坏外,静电放电也极易对电子电路造成干扰。静电放电对电子电路的干扰有两种方式。

   一种方式是传导,若电路的某个部分构成了放电路径,即静电放电电流直接侵入设备内的电路,如人手去触摸印制板上的轨线、引脚、设各的I/0接口端子、同轴插座的芯线等,静电放电电流流过集成片的输入端,造成干扰。另一种方式是辐射干扰c即静电放电时伴随火花产生了尖峰电流,这种电流中包含有丰富的高频成分,从而产生辐射磁场和电场,磁场能够在附近电路的各个信号环路中感应出干扰电动势。由于在很短时间内发生较大的电流变化(前面提到150Ⅱ内电流变化⒛A),所以在信号环路中产生的干扰电动势很可能超过逻辑电路的阈值电平,引起误触发。辐射干扰的大小还取决于电路与静电放电点的距离。

    静电放电产生的磁场随距离的平方衰减。静电放电产生的电场可以被印制板上的轨线或设备的I/0线接收,从而产生干扰。电场的瞬时峰值很高,可达几百千伏/米至几千千伏/米,但随距离的立方值衰减。当距离较近时,无论是电场还是磁场都是很强的。因此在静电放电位置附近的电路一般会受到影响。