CMOS集成电路通常具有如下参数。

   ①静态功耗低 电源电压TJDD为5V时,中规模M50FW040N15BSOX集成电路的静态功耗小于1O0uw.

   ②输人阻抗非常高 正常工作的CM(E集成电路的输人保护二极管处于反偏状态,其直流输入阻抗大于100MΩ。

    ③电源电压范围宽 CMOS集成电路的标准型+Orlll〃450lB系列产品的电源电压为3~18V。

   ④扇出能力强 低频工作时,一个输出端可驱动CMOS器件50个以上的输入端。

    ⑤抗干扰能力强 CMOS集成电路的电压噪声容限可达电源电压的45%,且高电平和低电平的噪声容限值基本相同。

   ⑥逻辑摆幅大 CMOS集成电路空载时,输出高电平LT"≥L,TDD 0・05V,输出低电平LIα'≤0.05V。

     ECL型集成电路

   这类集成电路以双极型晶体管为开关元件,但不同于TTI'集成电路,ECL电路的晶体管工作于非饱和开关状态(而非饱和开关状态),采用发射极耦合方式,因此被称为发射极耦合逻辑(emitter_∞ttpled-logic,ECI')G Et^I'型集成电路的晶体管因为是工作于非饱和区,故其开关速度非常快,但相应的功耗也非常大。常见的ECI'型集成电路包括如下两个系列。

   ①ECI'10K系列(10000系列) 它由美国摩托罗拉公司首先推出,是ECI'的主要系列;该系列集成电路比74S一TTI'系列的速度更宽、但功耗也更大,故多在高速计算机中被选用。

   ②ECL100K系列(100O00系列) 它由美国FSC公司首先推出;其工作速度比ECI'10K系列提高了1个数量级;但该系列的品种较少.应用不多.