判断中、小功率晶体管性能好坏的具体方法是采用专门的测量仪器(如JT1晶体管特性图示仪)进行检测判断,若无法获得专门的测量仪器,则以万用表亦可粗略地判断中、 HCPL-2531-000E小功率晶体管性能的好坏。

   (1)晶体管性能好坏的检测

   ①测量极间电阻。通过测量中、小功率晶体管极间电阻的大小,可判别晶体管内部是否存在短路、断路故障;其方法是将万用表置于R×1k挡位或R×100挡位,测量晶体管的基极与集电极之间的正向电阻与反向电阻值以及基极与发射极之间的正向电阻和反向电

阻值。

   ②对于正常的中、小功率晶体管,其正向电阻值为几百至几千欧姆、反向电阻值则在几百千欧姆以上;无论是正向电阻还是反向电阻,硅材料晶体管均比锗材料晶体管的极间电阻大。

   若正向电阻测量值接近于∞,则表明该晶体管内部存在断路故障;若反向电阻测量值很小或为0,则表明该晶体管已经被击穿或存在短路故障。

   ③在检测小功率晶体管时,应将万用表置于R×1k挡位或R×100挡位,而严禁使用R×10k挡位或R×1挡位;这是囚为前两个挡位的电流较大、而后两个挡位的电压较高、易造成晶体管的损坏。