一个加热的操作可以使晶圆表面恢复到厌水性条件。针对3种不同的脱水机制脱水烘焙有3种温度范围。在150℃~2000C的温度范围内（低温），AD816AVR晶圆表面会被蒸发。到了400℃（中温）时，与晶圆表面结合比较松的水分子会离开。当温度超过7500C（高温）时，晶圆表面从化学性质七讲恢复到了厌水性条件。

   在大多数光刻工艺中，只用低温烘焙。因为低温的温度范围可以通过热板、箱式对流传导或真空烤箱很容易达到。低温烘焙的另一个好处就是在进行旋转r艺之前不用花费很长的时间等待晶圆冷却，系统可以很容易地把这一步和旋转烘焙结合起来，进而形成脱水一旋转一烘焙系统。这些加热系统的解释在8. 10节中讲述。

   高温烘焙很少用到。一个原因是750。C高温通常只能通过炉管反应炉才能达到，而炉管反应炉都比较大，而且不能和旋转烘焙工艺结合。第二个原因就是湿度本身。在750℃高温F，晶圆内掺杂结合处能够移动（那不是所希望的），并且晶圆表面的可移动离子污染物可以移入晶圆内部，从而造成器件可靠性和功能方面的问题。

   除了脱水烘焙外，晶圆还可以通过涂化学底胶来保证它能和光刻胶黏结得很好。涂胶时，所选择的底胶有很好的吸附表面并且能够为正式涂胶提供一个平滑的表面。在半导体光刻工艺中，底胶的作用和这一点比较相似。底胶从化学上把晶圆表面的水分子系在一起，因此增加厂表面的附着能力“。