直到20世纪70年代中期，负胶一直AD8072ARM-REEL7在光刻工艺中占主导地位。随着超大规模集成电路( VLSI)和2—5 ht,m图形尺寸范围的出现使负胶的分辨率变得困难。正胶存在了20多年，但是它们的缺点是黏结能力差，而且它们的良好分辨率和防止针孑L能力在那时也并不需要。

   到了20世纪80年代，正胶逐渐被接受。这个转换过程是很不容易的。转化到正胶需要改变掩模版的极性。遗憾的是，它不是简单的图形反转。用掩模版和两种不同光刻胶结合而在晶圆表面光刻得到的尺寸是木同的（见图8. 18）。由于光在图形周围会有衍射，用负胶和亮场掩模版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩模版E的图形尺寸小。用正胶和暗场掩模版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。这些变化必须在掩模版／放大掩模版的制作和光刻J：艺的设计过程中考虑到。，换句话说，光刻胶类型的转变需要一个全新的光刻工艺.

   对于大多数掩模版来说，图形大部分都是空洞。用正胶和暗场掩模版组合还可以在晶圆表面得到附加的针孔保护（见图8. 19）。亮场掩模版在玻璃表面会倾向于有裂纹。。这些裂纹称为玻璃损伤( glassdamage)，它会挡住曝光源而在光刻胶表面生不希望的小孔，结果就会在晶圆表面刻蚀出小孔。那砦在光刻胶透明区域上的污垢也会造成同样的结果。在暗场掩模版卜^，大部分都被铬覆盖住了，所以不容易有针孔出现。因此，晶圆表面也就会有比较少的孔洞，对于非常小的图形面积，正胶是唯一的选择。