针孔是光刻胶层尺寸非常小的空洞，针孔是BCM5703CKHB有害的，因为它会允许刻蚀剂渗过光刻胶层进而在晶圆表面层刻蚀出小孔j针孔是在涂胶工艺中由环境中的微粒污染物造成的，也可以由光刻胶层结构上的空洞造成。

   光刻胶层越薄，针孔越多。因此，光刻胶厚膜上的针孔比薄膜上的针孔要少，但是它却降低了光刻胶的分辨率。这两个因素是光刻胶厚度选择过程中的一个典型的权衡。正胶的一个重要的优点就是有更高的深宽比，这个特性能够允许正胶用更厚的光刻胶膜，以达到想要的图形尺寸并且针孑L更少。

   光刻胶，和其他工艺化学品一样，必须在微粒含量、钠和微量金属杂质，以及水含嚣方面能达到严格的标准。

   晶圆在进行光刻工艺之前，晶圆表面已经有了很多层。随着晶圆生产工艺的进行，晶圆表面得到了更多的层。为了使光刻胶有阻挡刻蚀的作用，它必须在以前层上面保有足够的膜厚。光刻胶用足够厚的膜覆盖晶圆表面层的能力是一个非常重要的参数。

   在光刻工艺过程中有两个加热昀过程。第一个称为软烘焙( soft bake)，用来把光刻胶里的溶剂蒸发掉。第二个称为硬烘焙( hard bake)，它发生在图形在光刻胶层被显影之后。硬烘焙的目的是为了增加光刻胶对晶圆表面的黏结能力。然而，光刻胶作为像塑料一样的物质，在硬烘焙工艺中会变软和流动。流动的量会对最终的图形尺寸有重要的影响。在烘焙的过程中光刻胶必须保持它的形状和结构，或者说在工艺设计中必须考虑到热流程带来的尺寸变化。

   目标是使烘焙尽可能达到高温来使光刻胶黏结能力达到最大化。这个温度是受光刻胶热流程特性限制的．，总体来说，光刻胶热流程越稳定，它对工艺流程越有利.