作为刻蚀阻挡物，光刻胶BCM5690A1KEB层必须和晶圆表面层黏结得很好，才能够忠实地把光刻胶层的图形转移到晶圆表面层。缺乏黏附性将导致图形畸变。在半导体生产过程中，对于不同的表面，光刻胶的黏结能力是不同的。在光刻胶工艺中，有很多步骤是特意为了增加光刻胶对晶圆表面的自然黏结能力而设计的。负胶通常比正胶有更强的黏结能力。

   光刻胶的曝光速度、敏感度和曝光光源：光刻胶对光或者射线主要的反应就是结构卜^的变化。一个主要的工艺参数就是反应发生的速度。反应速度越快，在光刻和刻蚀区域晶圆的加工速度就越快。

   光刻胶的敏感度是与导致聚合或者光致溶解发生所需要的能量总和相关的。另外，这种与敏感度相关的能量又是和曝光源特定的波长有联系酌。对这种属性的理解需要对电磁光谱的性质非常熟悉。通过这些性质，我们确定r一些不同类型的能量：可见光、长的和短的无线电波，X射线，等等。实际上它们都是电磁能量（或辐射），并且根据它们波长的不同而被区分开来，波长越短的射线能量越高。

   普通的正胶和负胶会对光谱中紫外线( UV)和深紫外线(DUV)的部分有反应。一些光刻胶是被设计成对某一特定范围内的波长波峰有反应的。一些光刻胶被设计成对X射线或电子束( e-beam)有反应。由于其能量高、波段窄，产业界已经转向激光。