在超音频(10~100kHz)范围内,由于晶闸管本身开关特性等参数的限制,给研G2R1E制该频段的电源带来了很大的技术难度。而在欧美,由于SIT存在高通态损耗(⒊T工作于非饱和区)等缺陷,其高频功率器件以MOSFET为主。随着MOSFET功率器件的模块化、大容量化,MOsFET高频感应加热电源的容量得到了飞速发展。西班牙采用MOSFET的电流型感应加热电源制造水平达ω0kW、硐0kHz;德国在1989年研制的电流型MOSFET感应加热电源水平达480kW、50~⒛0kHz;比利时Inducto Eiphac公司生产的电流型MOSFET感应加热电源水平可达1000kW、15~ω0kHz。浙江大学在⒛世纪⒇年代研制出⒛kW、3OOkHz MOSFET高频电源,已被成功应用于小型刀具的表面热处理和飞机涡轮叶片的热应力考核。

   中频电源的逆变器主要有并联逆变器和串联逆变器,串联逆变器输出可等效为一低阻抗的电压源,当两电压源并联时,相互间的幅值、相位和频率不同或波动时将导致很大的环流,以至逆变器件的电流产生严重不均,因此,串联逆变器存在并机扩容困难的问题。而并联逆变器输入端的直流大电抗器可充当各并联逆变器之间的电流缓冲环节,使得输人端的AG/DG或D00G环节有足够的时间来纠正直流电流的偏差,达到多机并联扩容的目的。晶体管化超音频、高频电流多采用并联逆变器结构,并联逆变器易于模块化、大容量化是其中的一个主要原因。