中频电源用快速晶闸管的单管容量已达9~sO0A/2500Ⅴ,其最短关断时间已达15u, G2995F1UF与中频电源配套的无感电阻高频电容等制造技术得到了长足的进步,为晶间管中频电源的设计、制造提供了极大的方便。

   晶闸管中频电源的零部件及配套件,如散热器、熔断器、电抗器、控制板,已标准化、系列化、批量生产化,给晶闸管中频电源的制造商及维护人员带来了极大的方便。

   MOsFET和IGBT等全控型功率半导体器件的容量已日益扩大,与⒑BT及MOS-FET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化,给中频和超音频中频电源的设计、制造奠定了技术基础。以IGBT和MOSFET为主功率器件的中频电源,其单机容量在⒛0kW以内,置作频率范围基本上都为⒛~⒛0kHz,超过⒛kHz的中频电源基本上都是采用M0⒊FET。但目前MOSFET的额定参数限制了中频电源功率的提升,虽然可采用直接将MOsFET并联,或将MOSFET构成逆变桥,再多个逆变桥并联的方案,但却使主电路和控制电路复杂,可靠性下降。为此采用ICBT和MOSFET为主功率器件的中频电源,仍是需要进一步研发的课题。