20世纪ω年代,全球第一款商用GaAs红光LED面世,揭开了半导体照明技术的序幕。随后,GaP红光和绿光LED,AlGaInP高亮度红、橙、黄光LED也被开发出来。从⒛ 年代开始,Mamska等人开始了GaN材料的发光研究,但由于材料质量和p型掺杂的难题,蓝光LED一直没有被开发出来。LM3401MMX由于缺少三基色中波长最短的蓝光,不能构成LED白光光源。这一时期LED的用途一直局限于显示、指示等特殊领域的照明。

    1989年,Akasaki等人首先实现了GaN的p型掺杂并发明了低温缓冲层(buffcr)夕卜延生长方法,首次试验成功GaN蓝光LED。之后,日亚公司的Nakamura等人开发出了蓝光LED的量产技术,并发明了使用蓝光LED和黄色荧光粉合成白光的方法。

   1998年美国Lumilcds Ⅱgllting公司封装出世界上第一个大功率LED,使LED器件从以前的指示灯应用成为可以替代传统照明的新型固体光源,引发了人类历史上继白炽灯发明以来的又一场照明革命。白光LED开发初期的发光效率只有几lln/W,⒛14年初Crcc

公司宣布其自光功率型LED实验室发光效率达到3031WW,十几年的时间里发光效率提高了几十倍,与传统照明相比节能优势明显。

   要取代白炽灯和荧光灯等传统照明光源成为新型绿色照明光源,应具各高光效、高功率和亮度、高显色性、高可靠性、长、寿命、低的成本、无污染、环境友好等特点。LED具备上述特点,21世纪的世界将由LED照亮,有鉴于此,⒍Ⅸ基蓝光LED获得了⒛I4年诺贝尔物理学奖。根据色度学中的互补色原理,LED白光照明可以通过互补波长的基色光合成实现。目前,实现白光LED的主要途径有如下三种技术:一是利用蓝光LED激发黄色荧光粉合成白光;二是利用紫外光波长LED激发红绿黄三色荧光粉合成白光;三是直接利用补色LED的光(如红、绿、蓝LED)混合实现白光。一般情况下,白光的合成多在封装工艺实现,也可以利用GaN基单芯片LED中的蓝光和黄光量子阱发出双色光直接在芯片中合成并发射白光。