与DH-LED相比,QW-LED更具优势,主要体现在:

   (1)势阱厚度更薄,较低注M54583FP入电流密度下即可获得高的载流子浓度,内量子效率更高,光子吸收更小;

    (2)分立能级结构使注入效率更高、辐射光子的能量更为集中、光谱更纯;

   (3)采用MQW结构可以使LED获得更大的输出光通量。

   目前,QW-LED最大的问题是发光效率随注入电流的增大而减小,除大注入引起的“载流子溢流”(oⅤernow of caⅡicrs)、俄歇复合外,其他物理机理尚未完全清楚。研究发现蓝宝石衬底c-p1ane方向外延生长会在晶体内产生自发极化与压电极化,极化电场将使QW能带倾斜,致使量子阱中电子波函数与空穴波函数在空间上分离,从而减少了发生复合的概率。还发现由于电子与空穴的迁移率不同,造成MQW各阱中的载流子浓度不均匀匹配,降低了发光效率。此外,随着注入电流的增加,俄歇复合快速增加,也将降低发光效率。该领域的研究还在不断深入,例如:蓝宝石图形衬底外延、无极化方向外延及量子阱中生长高能量的电子势垒、渐变量子阱等。此外,新型衬底材料的出现将使得蓝绿光LED的同质外延成为可能。这些技术均可大幅提升LED的内量子效率。