两种半导体材料组成异质结时,由于它们的面内晶格常数Ωl和吻的差别,在界面M12L128168A-6TG处可能产生悬挂键,悬挂键导致产生位错和界面态等缺陷,它们充当载流子的陷阱和非辐射复合中心,从而使器件性能退化。为了减少缺陷,要求两种材料的晶格常数尽量地接近,以便能够晶格匹配。晶格失配度r为两种材料的面内晶格常数之差与它们的平均面内晶格常一般情况下,认为r<1%时晶格基本匹配;产△%时晶格失配。

   异质结界面悬挂键的多少与晶格失配有关,单位面积上悬挂键的数量可以由晶格常数之差粗略估算。假设异质结界面面积为S,两种材料的晶格常数分别为伤1和饧,如图3-31所示,虚线以上材料

在面积为s的平面上的晶格格点数为Ⅳ夕12,虚线以下材料在面积为s的平面上的晶格格点数为Ⅳ夕22,上下两种材料格点数之差就是悬挂键的数量。悬挂 异质结构能带形成与两种材料的电子亲和势、禁带宽度和功函数有关。异质结能带理论一般采用安德森能带模型[11]。该模型假定:①异质结界面处不存在界面态和偶极层;②异质结界面两侧的空间电荷层中的空间电荷符号相反,大小相等;③异质结界面电场不连续,但电位移矢量连续。