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工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生

发布时间:2016/10/9 19:54:06 访问次数:1138

   从1947年开始,半导体产业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生,从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改进归为两大类:工艺和结构。工艺的改进( improvement)是指以更小尺寸来制造器件

和电路,并使之具有更高密度、更多数量和更高的可靠性。结构的改进是指新器件设计仁的发明使电路的性能更好,实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。

   集成电路中器件的尺寸和数量是集成电路发展的两个共同标志。器件的尺寸是以设计中的最小尺寸来表示的,称为特征图形尺寸( feature size),通常用微米(斗m)和纳米( nm)来表不。l“m是111 000 000 m或约为人头发直径的1/100。Inm是111 000 000 000 m。半导体器件一个更专业的标志是栅条宽度( gate width)。晶体管由三部分构成,一部分足允许电流流过的通路。在当今的技术中,最流行的晶体管是金属氧化物一半导体场效应晶体管( MOS-FET)结构(见第16章),其控制部分被称为栅(gate)。通过生产更小和更快的晶体管及更高密度的电路,更小的栅条宽度推动着产业发展。目前,产业界正推向5 nm的栅条宽度,根据国际半导体技术路线图( ITRS),在2016年左右将达到5 nm的尺寸4

   英特尔公司的创始人之一戈登·摩尔( Gordon Moore)在1965年预言在芯片的晶体管数量会每年翻一番,这个预言被称为摩尔定律。此后,他更新该定律为每两年翻一番.业界观察家们已经使用这个定律来预测未来芯片上的密度。多年来,它已被证明十分准确,并推动

了技术的进步。如果保持下去,每个芯片上的晶体管数可能达到数{吖乙个(见图1.8)。它足由半导体产业协会( SIA)开发的国际半导体技术路线图(ITRS)的基础。,


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   从1947年开始,半导体产业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生,从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改进归为两大类:工艺和结构。工艺的改进( improvement)是指以更小尺寸来制造器件

和电路,并使之具有更高密度、更多数量和更高的可靠性。结构的改进是指新器件设计仁的发明使电路的性能更好,实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。

   集成电路中器件的尺寸和数量是集成电路发展的两个共同标志。器件的尺寸是以设计中的最小尺寸来表示的,称为特征图形尺寸( feature size),通常用微米(斗m)和纳米( nm)来表不。l“m是111 000 000 m或约为人头发直径的1/100。Inm是111 000 000 000 m。半导体器件一个更专业的标志是栅条宽度( gate width)。晶体管由三部分构成,一部分足允许电流流过的通路。在当今的技术中,最流行的晶体管是金属氧化物一半导体场效应晶体管( MOS-FET)结构(见第16章),其控制部分被称为栅(gate)。通过生产更小和更快的晶体管及更高密度的电路,更小的栅条宽度推动着产业发展。目前,产业界正推向5 nm的栅条宽度,根据国际半导体技术路线图( ITRS),在2016年左右将达到5 nm的尺寸4

   英特尔公司的创始人之一戈登·摩尔( Gordon Moore)在1965年预言在芯片的晶体管数量会每年翻一番,这个预言被称为摩尔定律。此后,他更新该定律为每两年翻一番.业界观察家们已经使用这个定律来预测未来芯片上的密度。多年来,它已被证明十分准确,并推动

了技术的进步。如果保持下去,每个芯片上的晶体管数可能达到数{吖乙个(见图1.8)。它足由半导体产业协会( SIA)开发的国际半导体技术路线图(ITRS)的基础。,


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