Bi=MOs工艺在19gO年中期为主流IC所采用,发展至今出现了针对不同应用的Bi-CMOS工艺:低成本、中速数字Bi-CMOs工艺、高成本、 EP600ILI-45高性能数字B⒈cMOs工艺以及数模混合Bi-CMOs工艺。数模混合Bi-CMOs工艺和5V数字B⒈cMOs工艺之间的主要区别在于工作电压不同,其中模拟器件的工作电压变化范围较宽且通常工作在高压下。

   数字Bi-CMOs工艺通常是在己有的CMOs工艺基础上发展起来,稍作修改而成的,如增加几块用于双极晶体管制造的掩膜。在Bi-CMOs数字集成电路中,双极型器件所占的比例通常很低(<1%),然而这些比例很低的双极型器件却对整个芯片的性能有很大的影响。数模混合电路中的模拟电路部分经常要用到双极型器件的

精密匹配特性和低噪声特性,常用到的器件有PNP型晶体管、精密电阻和精密电容等。因此数模混合的Bi-CMOs工艺比较复杂,而且通常是由双极型器件工艺发展而来的。