在过去的50年中,电子工业持续显著的增长在很大程度上是由于出现了更小、更轻、CY27C256-70WC更快和更便宜的半导体产品。目前基于1犰m特征尺寸的硅集成电路的先进产品正在30Omm直径的硅衬底上制造。21世纪的半导体生产将受到多种变化因素的影响,生产中新材料的引入是工艺集成中最为困难的问题之一,新材料的引入可带来器件的优良性能,但新材料引入的缺陷将决定半导体产品的性能、成品率和可靠性。

   缺陷的分类

   随着尺寸的缩小和纵横比的上升,缺陷类型将限制新一代半导体的成品率。由于新工艺和新材料,缺陷的复杂度也提高了。界面的原子粗糙度将在确定缺陷类型和分布中起关键作用。因此,一种缺陷检测工具不能满足所有用途。光学显微术将达到极限,对于任何250nm以下的测量,最好的光学显微镜也只能产生模糊的点。缺陷可广泛归类为随机或系统缺陷。随机缺陷  随机缺陷定义为晶圆上性质为随机的缺陷。对于新一代产品,随机缺陷将和今天遇到的相同,但缺陷的可容许尺寸将相应缩小。例如,对于250nm特征尺寸的电路,80nm的粒子在引起掩模针孔或刻蚀鼠咬(Mouse bitc)等情况下是可以承受的。但对于特征尺寸10Onm的生产来说,需要降低到40nm。对洁净室、化学供应、设备负载和现场工艺等要格外注意。