以上这些步骤是连续发生的,每个步骤的生长速率是不同的,总的沉积速率由其中最慢的步骤决定,AD7892AR-3REEL7这一步骤称为速率控制步骤。在常压下,各种不同硅源沉积硅薄膜的速率与温度有关。在高温区沉积速率对温度不太敏感,这时沉积速率实际是反应剂的分子通过扩散到达衬底表面的扩散速率;在低温区,沉积速率和温度之间成指数关系。化学气相沉积反应必须满足三个挥发性条件。

   (1)在沉积温度下,反应剂必须具备足够高的蒸气压,使反应剂以合理的速度引入反应室。如果反应剂在室温下都是气体,则反应装置可以简反应剂挥发性很低,则需要用携带气体将反应剂引入反应室,在这种情况下,接反应器的气体管路需要加热,以免反应剂凝聚。

   (2)除沉积物质外,反应副产物必须是挥发性的。

   (3)沉积物本身必须具有足够低的蒸气压,使反应过程中的沉积物留在加热基片上。