0.13um以下线宽的CMOs工艺中,金属互连线大多采用金属铜(Cu)。铜的电AD9889BBCPZ-165阻率约为1.7uΩ・cm,而铝的电阻率约为2.7uΩ・cm,故铜线的电阻率较铝的下降了硐%,利用Cu取代Al可使互连延迟减少40%。另外铜的熔点约是1070℃,高于铝的6ω℃,故铜可以承受较高的温度。因铜原子较铝原子不易移动,故抗电迁移性能较好,并且导电性能和散热也较铝好。

   虽然铜线有很好的优点,但也有一些缺陷,这是由于铜在硅基板中扩散得非常快,因此一定要有很好的阻挡层,以防止铜原子扩散出来。铜很容易在空气中氧化,并且铜线不能采用一般的干法刻蚀,而需要使用所谓的大马士革方法(DualDamasccnc)去刻蚀。

   金属化互连线的开路是指芯片上用于电连接的铝连线产生了开路,开路的原因与芯片的加工工艺和使用条件有关。

   多层金属布线中,采用腐蚀法刻蚀铝和介质层上的通孔会造成金属边缘和氧化层台阶处第二层金属膜厚的不均匀,从而引起断条,产生开路现象。使用中,金属条中流过的电流密度过大,金属原子迁移从而导致金属化互连线的断裂,产生开路现象。