统计（击穿）模型

   高场下氧化层内部产生陷阱。C3225JB1C226KT000N随着陷阱密度的增加，有更高的电流流过。当某个局部区域陷阱密度超过某一临界值时，触发的局部电流密度上升，若沿局部路径足以促使热烧毁，即发生击穿。据此提出的统计（击穿）模型如图4. 14所示。氧化层面积为A-LW，厚度为d，氧化层被划分为N个面积为n的本征小单元，陷阱随机地分布其中，当某个小单元的陷阱数超过临界值K时，引发该单元击穿，整个氧化层烧毁。以及K两个可调整参数，来描述栅氧的TDDB分布。n表示陷阱的俘获截面，其值为10 -14 cm2量级。K为10左右，低K值说明氧化物中有缺陷，氧化层的质量低；高K值表示将伴随本征击穿。不同的以及K值可用来模拟各种TDDB值的分布，其中包括双模式或多模式分布，预计值与文献中实测结果相符。但要确定口及K值如何从应力试验中求取，尚有困难，这是使它未能实用的原因。  ．

   在VISL技术中，栅氧厚度均在lOnm左右，本模型提出了栅氧击穿的物理本质，有较大的应用前景。

   理解了栅氧击穿的机理，也就清楚了改进措施。如应注意控制原材料硅中的C、02等微量杂质的含量，在加工工艺中采用各种有效的洁净措施，防止Na+、灰尘微粒等沾污。热氧化时采用二步或三步HCL氧化法：先用高温低速的方式生长，一层厚度约2nm的

Si()2，使Si-S102界面平整，然后再正常生长S102层。可以用CVD生长S102或掺氮氧化以改进栅氧质量等。