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数据列表
IPB,IPP015N04N G
产品相片
TO-220-3
标准包装
500
类别
分立半导体产品
家庭
FET - 单
系列
OptiMOS™
包装
管件
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
120A （Tc）
不同Id、Vgs 时的Rds On（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
20000pF @ 20V
功率 - 最大值
250W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
PG-TO220-3
其它名称
IPP015N04NG
IPP015N04NGHKSA1
IPP015N04NGXKSA1
SP000391520
SP000680760
