分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET >SIR422DP-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 40 V

闸/源击穿电压: +/- 20 V

漏极连续电流: 40 A

导通电阻: 6.6 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK SO-8

封装: Reel

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 70 S

栅极电荷 Qg: 16.1 nC

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 34.7 W

系列: SIRxxxDP

工厂包装数量: 3000